Amptek 收購了一家硅晶圓制造商貌笨，能更好的提升性能。這種探頭具有低噪聲襟沮，低漏電流锥惋，更好的電荷收集。探頭之間有更好的一致性开伏。
   FAST SDD 是 AMPTEK 性能最好的 SDD膀跌，在保證分辨率的同時，最大計數率超過 1,000,000CPS硅则。FASTSDD 同樣可以搭載 C 系列（Si3N4）低能窗口淹父。

概述

傳統(tǒng) SDDs 內部使用結晶型場效應管（JFET）怎虫，密封在 TO-8 封裝中暑认，外接前放。FAST SDD 使用帶前放的互補金屬氧化物半導體（CMOS）大审，封裝在 TO-8 中蘸际。FAST SDD 使用 MOSFET 代替了 SDD 中的JFET。這樣降低了電容徒扶，有更低的系列噪聲粮彤，在很短的成型時間下提升
分辨率〗猓可以更好的分辨重疊峰导坟。更短的成型時間能夠更好的提高計數率，數據更穩(wěn)定圈澈。

規(guī)格參數

通用
探頭類型	帶 CMOS 前放的硅漂移探頭（SDD）
探頭大小	25mm2 準直到 17mm2 亦可 70mm2 準直到 50mm2
硅晶體厚度	500um
準直器	內部準直器（ML）
5.9keV 處 55Fe 能量分辨率	峰化時間 4us 時惫周，分辨率為 122-129eV
峰背比	>20000:1（5.9keV 與 1keV 計數比）
探頭窗口	Be:0.5mil(12.5um)或 0.3mil(8um)  C 系列（Si3N4）
準直器	內部多層準直器
電荷靈敏前置放大器	CMOS
增益穩(wěn)定性	<20ppm/℃
外殼尺寸 探頭模塊 XR-100 盒子 X123 盒子 OEM	TO-8 封裝（高 0.64in 包括 pin 腳，直徑0.6in） 3.00 x 1.75 x 1.13 in (7.6 x 4.4 x 2.9 cm) 3.94 x 2.67 x 1.0 in (10.0 x 6.78 x 2.54 cm) 不同配置
重量 探頭模塊 XR-100 X-123 OEM	0.14 盎司（4.1g） 4.4 盎司（125g） 6.3 盎司（180g） 不同配置
總功率	<2W
質保期	1 年
使用壽命	取決于實際使用情況康栈，一般 5-10 年
倉儲和物流	長期存放：干燥環(huán)境下 10 年以上 倉儲和物流：-40℃到+85℃递递，10%到 90%濕 度喷橙，無凝結
工作條件	-35℃到+80℃
	TUV 認證 認證編號：CU 72072412 02 檢測于：UL61010-1:2004 R7.05 CAN/CSA-C22.2 61010-1:2004
輸入
前放電源 XR-100FastSDD-70 OEM 配置	±8V@15mA，峰值噪聲不超過 50mV登舞。 PA210/PA230 或 X-123：±5V
探頭電源 XR-100FastSDD-70	-100 到-180V@25uA贰逾，非常穩(wěn)定，變化<0.1%
制冷電源 電流 電壓	最大 450mA 最大 3.5V菠秒，峰值噪聲<100mV
注： XR-100FastSDD-70 包含它自身的溫度控制器
輸出
前放 靈敏度 極性 輸出上升時間 反饋	典型的 3.6mV/keV（不同的探頭靈敏度不同） 正輸出信號（最大 1KΩ負載） <35ns 復位型
溫度監(jiān)控靈敏度	根據配置不同而變化 當使用 PX5疙剑，DP5，或 X-123 時稽煤，直接通 過軟件讀取開爾文溫度

   能量分辨率和計數率：這張圖顯示了 AMPTEK 探頭在不同脈沖成型時間下5.9kev 處的能量分辨率與輸出計數率的關系核芽。這些都是在完全制冷（220k）時的典型值。比如酵熙，峰化時間9.6us(即 4.0us 的成型時間)轧简，死時間 50%時的輸出計數率是 18kcps。
   能量分辨率匾二，效率哮独，和 X 射線能量：這張圖顯示了不同 X 能量射線的固有效率（頂）和能量分辨率（底）。在底部圖中察藐，黑線曲線代表“Fano 帶寬”皮璧，Si 探頭的理論極限，由電荷產生過程中的量子漲落引起分飞。彩色曲線是 Fano 帶寬和在最優(yōu)化條件下（完全制冷和長的峰化時間）固有電子噪聲的組合悴务。在較低能端，探頭的選取是很重要的譬猫，因為 Fano 帶寬主要受制于高能端讯檐。
   在頂端圖中，低能端的效率主要取決于通過窗口和探頭死層的傳輸染服。高能端的效率主要取決于探頭的深度别洪。在 2 到 30kev 之間，推薦使用 Be窗的 Si 探頭柳刮，更低能端應用推薦使用 C1 或 C2 窗口挖垛，30kev 以上最好的推薦是 CdTe 探頭。

應用譜圖